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《華林科納-半導(dǎo)體工藝》碳化硅MOSFET制造后爐前清洗的濕處理

引言碳化硅(SiC)器件制造技術(shù)與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發(fā)展的領(lǐng)域很有意義。材料參數(shù)差異包括擴(kuò)散系數(shù)、表面能和化學(xué)鍵強(qiáng)度，所有這些都可以在清潔關(guān)鍵表面方面發(fā)揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經(jīng)過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與后續(xù)清洗后的水平進(jìn)行了比較。在MCV期間，痕量金屬如汞、鐵和鎳被可控地添加，并且顯示出多種清潔方法可以將碳化硅表面恢復(fù)到低于5x1010原子/cm2的清潔度水平。討論了這些清洗在集成器件工藝
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MOS管和IGBT有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
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差模濾波與共模濾波分析

低頻來自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測量不到。設(shè)置一個電感在功率線上，阻斷它出去，同時提供一個電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業(yè)測試時帶有 LISN（Line Impedance Stabilization Network電網(wǎng)阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)），被測電源通過一個電感和一個電容接到LISN,提供50Ω源阻抗。有時噪聲可能很小，以至于不要電感，
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性能遠(yuǎn)超AMD及蘋果？英特爾12代酷睿i9-12900K評測：牙膏擠爆，真的很強(qiáng)！

今年10月28日，在英特爾ON技術(shù)創(chuàng)新峰會上，英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產(chǎn)品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺式機(jī)處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達(dá)16核與24線程的規(guī)格，全新處理器可為游戲發(fā)燒友和專業(yè)創(chuàng)作者釋放更高的多線程性能。 12代酷睿*采用了兩種CPU核心，一個是性能核(P核)，一個是能效核(E核)。P核的設(shè)計更傳統(tǒng)，是酷睿家族的延續(xù)，針對單線程、輕線程性能而優(yōu)化，適合較高負(fù)載的游戲、
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老司機(jī)總結(jié)：模擬電路設(shè)計的11個細(xì)節(jié)

模擬電路設(shè)計需要扎實的模電基礎(chǔ)以及豐富的經(jīng)驗積累，這里，我們分享一位模電老工程師的總結(jié)，幫助大家在設(shè)計中少踩坑，少走彎路，覺得好的點個贊?。?nbsp; 1. 系統(tǒng)定義 ??系統(tǒng)定義是模擬電路設(shè)計的基本前提。根據(jù)設(shè)計要求，模擬電路設(shè)計工程師需要對電路系統(tǒng)及子系統(tǒng)做出相應(yīng)的功能定義，并確定面積、功耗等相關(guān)性能的參數(shù)范圍。 2. 電路設(shè)計電路結(jié)構(gòu)的選擇是電路設(shè)計的重要環(huán)節(jié)。模擬電路設(shè)計工程師需要根據(jù)模擬電路需要實現(xiàn)的功能要求、設(shè)計規(guī)范及相應(yīng)的參數(shù)指標(biāo)選擇合適的電路結(jié)構(gòu)，并在此基礎(chǔ)上確定元器
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拆解報告：TEKA鐵甲65W氮化鎵無線智能充電器

近兩年來，氮化鎵在消費(fèi)類電源領(lǐng)域的發(fā)展迅速，無論是高性價比的高頻QR反激拓?fù)溥€是主打高性能的有源鉗位反激，亦或是百瓦大功率專用的LLC，市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。當(dāng)然，技術(shù)的成熟也會讓產(chǎn)品的性能和賣點都面臨著同質(zhì)化的問題，為了尋求產(chǎn)品的更多差異化，電源廠商也是絞盡腦汁。比如，近日充電頭網(wǎng)就拿到了一款由鐵甲推出65W氮化鎵快充新品，除了目前主流氮化鎵充電器小巧便攜、大功率輸出、多設(shè)備支持等優(yōu)點外，它還加入了無線智能互聯(lián)功能，用戶可以通過APP連接充電器，查看并設(shè)置充電器的參數(shù)，讓
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開關(guān)電源各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的特點

1、基本名詞常見的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基本的脈沖寬度調(diào)制波形這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開關(guān)式電路有關(guān)。基本的脈沖寬度調(diào)制波形定義如下： 2、Buck降壓特點 ■把輸入降至一個較低的電壓。 ■可能是最簡單
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想用GD32替換STM32? 這些細(xì)節(jié)一定要知道

GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的。不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了，下面列一下不同的地方。 1 內(nèi)核 GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BU
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xEV推動功率半導(dǎo)體器件市場節(jié)節(jié)攀升

到2026年，嚴(yán)格的二氧化碳排放目標(biāo)將使所有乘用車中電動汽車/混合動力汽車（EV/HEV）份額達(dá)到38%，這意味著各種半導(dǎo)體技術(shù)和功率器件將獲得56億美元的市場機(jī)會。這是市場研究公司Yole Dedevelopment在《2021年電動汽車功率電子技術(shù)》中的判斷。有這么多種電動汽車不管是EV還是HEV，都是電動汽車，或稱之為xEV，其具體分類如下：輕度混合動力電動汽車（MHEV）：使用內(nèi)燃機(jī)（或熱電機(jī)）和電動機(jī)的車輛，通常使用功率為1
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一文看懂保護(hù)器件PPTC、TVS、GDT的選型

01 自恢復(fù)保險絲PPTC選型隨著電子產(chǎn)品的高速發(fā)展，如今自恢復(fù)保險絲（PPTC）在電路設(shè)計的常見應(yīng)用領(lǐng)域中早已屢見不鮮。雖然過流保護(hù)方式多種多樣，但是自恢復(fù)保險絲不管是從安裝使用、還是從性能效率來看都是其中較為理想的過流保護(hù)元件，而且由于自恢復(fù)保險絲分為插件保險絲和貼片保險絲，使得其應(yīng)用場景更加廣闊，針對其產(chǎn)品的選型也就顯得尤為重要，就和金開盛一起了解一下自恢復(fù)保險絲的選型步驟吧！ 1、首先確定電路的各項參數(shù)：最大工作環(huán)境溫度、正常工作電流（Ihold）、最大工作
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