2022-03-18
21
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料（禁帶寬度＞4.5 e V）的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。這類半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電子器件等領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力，目前正成為國際競爭的新熱點。 金剛石作為超寬帶隙半導體材料的一員（禁帶寬度5.5 e V），具有優異的物理和化學性質，如高載流子遷移率、高熱導率、高擊穿電場、高載流子飽和速率和低介電常數等，以下是相關參數對比。基于這些優異的性能參數，金剛
了解更多
