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7種MOSFET柵極電路的常見(jiàn)作用，不看不知道！

概述 MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制、電動(dòng)工具等各行各業(yè)。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環(huán)節(jié)，如果電路設(shè)計(jì)不當(dāng)，容易造成器件甚至系統(tǒng)的失效，因此發(fā)這篇文章將柵極常見(jiàn)的電路整理出來(lái)供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點(diǎn)。 MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用有以下幾點(diǎn)： 1、去除電路耦合進(jìn)去的噪音，提高系統(tǒng)的可靠性。
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支持制造業(yè)實(shí)現(xiàn)智能化轉(zhuǎn)型 | 基于GD32F303的通用變頻器方案設(shè)計(jì)

前言我國(guó)在2020年9月明確了2030年碳達(dá)峰和 2060年碳中和的目標(biāo)，未來(lái)四十年內(nèi)實(shí)現(xiàn)凈零排放對(duì)中國(guó)而言將是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。對(duì)于電機(jī)行業(yè)來(lái)說(shuō)，電機(jī)在工業(yè)領(lǐng)域占有重要位置，據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國(guó)電機(jī)每年耗電量占全社會(huì)總用電量的69%，約占工業(yè)用電的75%。因此減少電機(jī)生命周期內(nèi)的碳排放，加速推進(jìn)減碳進(jìn)程，是電機(jī)行業(yè)面臨的重要任務(wù)。變頻調(diào)速技術(shù)可以精確控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速，使電機(jī)在節(jié)能狀態(tài)下運(yùn)行，是對(duì)傳統(tǒng)電機(jī)系統(tǒng)調(diào)速改造、提升電機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行效率的關(guān)鍵措施。傳統(tǒng)變頻器具有體積大、性能低、價(jià)格高的特點(diǎn)，除此
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助力共享?yè)Q電，基于GD32E230的智能鋰電池BMS解決方案

據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)市場(chǎng)擁有3億輛兩輪三輪電動(dòng)車(chē)，2019年我國(guó)電動(dòng)兩輪車(chē)產(chǎn)量為3609萬(wàn)輛，銷(xiāo)量為3464萬(wàn)輛，其中700萬(wàn)外賣(mài)人員和310萬(wàn)快遞人員是電動(dòng)車(chē)的重度使用者。隨著2019年4月15日新國(guó)標(biāo)正式實(shí)施，我國(guó)鋰電兩輪車(chē)銷(xiāo)量達(dá)到680萬(wàn)輛，鋰電池在我國(guó)兩輪電動(dòng)車(chē)滲透率達(dá)到18.8%，預(yù)計(jì)2023年鋰電兩輪車(chē)滲透率將達(dá)到53%。在兩輪車(chē)行業(yè)中，鋰電池替換鉛酸電池的已經(jīng)成為必然趨勢(shì)，特別是市場(chǎng)上大量出現(xiàn)共享電動(dòng)車(chē)和鋰電池?fù)Q電服務(wù)，進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)智能鋰電池的大量需求。電池管理系統(tǒng) Ba
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SiC MOSFET有趣的IP故事集 — 英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋，及躺贏的GE

一個(gè)碳化硅芯片業(yè)余愛(ài)好者的學(xué)習(xí)筆記。文獻(xiàn)整理，業(yè)界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號(hào)屬于個(gè)人學(xué)習(xí)筆記，僅為個(gè)人業(yè)余興趣愛(ài)好，不涉及任何商業(yè)目的。文中如果有引用不規(guī)范的地方敬請(qǐng)見(jiàn)諒。有人的愛(ài)好是養(yǎng)花養(yǎng)草唱歌釣魚(yú)，也有人喜歡寫(xiě)Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點(diǎn)書(shū)刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術(shù)發(fā)展。題記：做點(diǎn)有趣的事，做個(gè)有趣的靈魂。瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??，發(fā)現(xiàn)感興趣的朋友還真不少
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TI 第二代雷達(dá)芯片深度剖析

車(chē)載雷達(dá)是*輔助駕駛(ADAS), 無(wú)人駕駛核心傳感器之一，而車(chē)載雷達(dá)芯片是車(chē)載雷達(dá)的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車(chē)規(guī)級(jí)芯片為雷達(dá)小型化，高可靠性與穩(wěn)定性，低成本提供關(guān)鍵途徑，其重要性不言而喻。近期，TI公司正式上線下一代車(chē)規(guī)級(jí)高性能車(chē)載雷達(dá)芯片，AWR2944，同時(shí)發(fā)布與之配套的SDK，mmwave_mcuplus_sdk_04_02_00_01，參考設(shè)計(jì)工具箱toolbox, mmwave_automotive_toolbox_3_5_0，以及demo參考板
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CIS封裝技術(shù)

CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無(wú)鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會(huì)占用很大的相機(jī)內(nèi)空間。20世紀(jì)末晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Package, WLP)技術(shù)逐步發(fā)展起來(lái)，其優(yōu)勢(shì)在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關(guān)注。2007年3月，日本Toshiba公司*展出采用硅通孔技術(shù)的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術(shù)不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導(dǎo)致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質(zhì)量、有效降低寄生
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功率電子封裝關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展

摘要：傳統(tǒng)功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術(shù)為主，無(wú)法滿足第三代半導(dǎo)體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應(yīng)用。為了解決這一問(wèn)題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發(fā)展。對(duì)功率電子封裝技術(shù)中的關(guān)鍵材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展進(jìn)行了總結(jié)和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發(fā)展為金基釬料、瞬態(tài)液相連接材料、燒結(jié)銀等高導(dǎo)熱、耐高溫材料，連接技術(shù)從引線鍵合逐漸發(fā)展為雙面冷卻、器件集成和垂直疊層互連等。通過(guò)去除引線提高開(kāi)關(guān)性能，集成多種芯片和器件提高功率密度，雙面冷卻提高散熱效率。三維集成封裝具有巨大的市場(chǎng)潛力，將
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碳化硅與硅相比有何優(yōu)勢(shì)？

描述電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。據(jù)總部位于法國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement估計(jì)，到2025年SiC器件市場(chǎng)營(yíng)收將占據(jù)整體電力電子市場(chǎng)的10%以上，GaN器件的營(yíng)收比例會(huì)超過(guò)2%。 SiC組件的知名供貨商包括意法半導(dǎo)體（ST）、Cree/Wolfspeed、羅姆、英飛凌、安森美半導(dǎo)體（On Semi
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淺談電動(dòng)汽車(chē)IGBT技術(shù)應(yīng)用與發(fā)展

20世紀(jì)中期出現(xiàn)了功率器件，經(jīng)過(guò)近30年的發(fā)展，MOS和BJT技術(shù)的結(jié)合催生出IGBT技術(shù)。IGBT經(jīng)過(guò)不斷更新，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于車(chē)輛、焊接、航天航空等領(lǐng)域。本文介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理，并對(duì)其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行闡述，有助于從業(yè)者*深入了解IGBT原理及其在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。隨著全球變暖和環(huán)境惡化加劇，為了緩解節(jié)能減排的壓力，我國(guó)提出了高目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的目標(biāo)，我國(guó)大力扶持發(fā)展新能源汽車(chē)。電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的核心能源轉(zhuǎn)換單元式牽引逆變器，它可以將電池輸出的直流電逆變?yōu)槿?/p> 了解更多
干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應(yīng)

如下是一個(gè)NMOS的開(kāi)關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開(kāi)啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T=20ms進(jìn)行開(kāi)啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。首先仿真Vgs和Vds的波形，會(huì)看到Vgs=2V的時(shí)候有一個(gè) 小平臺(tái) ，有人會(huì)好奇為什么Vgs在上升時(shí)會(huì)有一個(gè)小平臺(tái)？ MOS管Vgs小平臺(tái) 帶著這個(gè)疑問(wèn)，我們嘗試將電阻R1由5K改為1K，再次仿真，發(fā)現(xiàn)這個(gè)平臺(tái)變得很小，幾乎沒(méi)有了，這又是為什么呢？ MOS管Vgs小平臺(tái)有改善為了
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