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400G 以太網(wǎng)PAM-4信令取代NRZ

由于 NRZ 信令不足并且 PAM-4 能夠以波特率的一半實現(xiàn)更高的比特率，因此設(shè)計人員可以繼續(xù)以有望達到 400G 的以太網(wǎng)數(shù)據(jù)速率使用現(xiàn)有信道
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TOF飛行時間技術(shù)

飛行時間技術(shù)在廣義上可理解為通過測量物體、粒子或波在固定介質(zhì)中飛越一定距離所耗費時間
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特斯拉下一代永磁電機去稀土分析

特斯拉公司表示，新一代永磁電機可以在效率和質(zhì)量上達到甚至比稀土材料電機更高的水平。
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HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進展

GaN 半導體晶體材料的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，綜述了近年來采用 HVPE 法生長高質(zhì)量 GaN 晶體的主要研究進展；對 GaN 的摻雜特性、摻雜劑類型、生長工藝以及摻雜原子對電學性能的影響進行了詳細介紹
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固態(tài)與半固態(tài)動力電池

由于科學界認為鋰離子電池已經(jīng)到達極限，固態(tài)電池于近年被視為可以繼承鋰離子電池地位的電池。
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對話兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊：RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運用

RISC-V（Reduced Instruction Set Computing Five）是一種基于精簡指令集計算機（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA）。RISC-V最初于2010年由加州大學伯克利分校的研究人員提出，并逐漸成為開源計算機架構(gòu)中的一股強大力量。RISC-V架構(gòu)的出現(xiàn)和發(fā)展，不僅推動了開源計算機架構(gòu)的發(fā)展，也為智能汽車行業(yè)的未來發(fā)展提供了新的可能性和方向。上海交通大學深圳行業(yè)研究院首席科學家、院長助理蔣煒教授與兆芯微電子公司總經(jīng)理歐沅昊針對RISC-V框架在智能汽車領(lǐng)域的運用進行探討
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GAAFET與FinFET工藝

三星在年初的IEEE國際固態(tài)電路大會(ISSCC)上，公布3nm制造技術(shù)的一些細節(jié)，包括類似全柵場效應(yīng)晶體管(GAAFET)結(jié)構(gòu)，率先開啟先進工藝在技術(shù)架構(gòu)上的轉(zhuǎn)型。知名能源與電力媒體eenews報道稱，三星工廠已經(jīng)流片采用環(huán)繞柵極 (GAA) 晶體管架構(gòu)的3nm芯片，通過納米片(Nanosheet)制造出MBCFET(多橋通道場效應(yīng)管)，可顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。為了能夠從臺積電手中*到客戶，三星半導體最近幾年一直在積極宣傳GAA(Gate All Aroun
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增強型MOS管結(jié)構(gòu)與工作原理

一、增強型MOS管結(jié)構(gòu) 1.增強型MOS管結(jié)構(gòu) ①以低摻雜的P型硅片為襯底。 ②利用擴散工藝制作成兩個高摻雜的N+區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極s和漏極d。 ③在半導體上制作一層SiO2絕緣層，在SiO2上制作一層金屬鋁，引出電極，作為柵極g。 ④通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當柵極與源極之間電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流大小。 2.兩種增強型MOS管二、工
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常見的車用芯片AEC-Q驗證問題解答

在汽車電子向智能化，信息化和網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展的今天，汽車芯片迎來了一個全新的發(fā)展契機，車用芯片AEC-Q驗證中經(jīng)常會碰到什么問題？金鑒實驗室在下面的問題上給大家一個答案。
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車系統(tǒng)級芯片SoC：汽車系統(tǒng)級芯片概覽及AEC-Q100車規(guī)

SoC，系統(tǒng)級芯片，汽車系統(tǒng)級SoC主要面向兩個領(lǐng)域，一是駕駛艙，二是智能駕駛，兩者的界限現(xiàn)在越來越模糊。隨著汽車電子架構(gòu)的演進，新出現(xiàn)了網(wǎng)關(guān)SoC，典型的代表是NXP的S32G274A。通常網(wǎng)關(guān)SoC不需要太強算力，不過S32G274A有4個Cortex-A53內(nèi)核，達到低端座艙的水準。英偉達Orin的內(nèi)部框架圖 Orin是一個典型的智能駕駛SoC
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