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碳化硅與硅相比有何優勢？

描述電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發展，雖然硅仍然占據市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。據總部位于法國的市場研究機構Yole Développement估計，到2025年SiC器件市場營收將占據整體電力電子市場的10%以上，GaN器件的營收比例會超過2%。 SiC組件的知名供貨商包括意法半導體（ST）、Cree/Wolfspeed、羅姆、英飛凌、安森美半導體（On Semi
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淺談電動汽車IGBT技術應用與發展

20世紀中期出現了功率器件，經過近30年的發展，MOS和BJT技術的結合催生出IGBT技術。IGBT經過不斷更新，現已廣泛應用于車輛、焊接、航天航空等領域。本文介紹了IGBT的結構和工作原理，并對其在電動汽車領域的應用進行闡述，有助于從業者*深入了解IGBT原理及其在電動汽車領域的技術發展。隨著全球變暖和環境惡化加劇，為了緩解節能減排的壓力，我國提出了高目標。為了實現節能減排的目標，我國大力扶持發展新能源汽車。電動汽車動力總成的核心能源轉換單元式牽引逆變器，它可以將電池輸出的直流電逆變為三
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干貨|臭名昭著的MOS管米勒效應

如下是一個NMOS的開關電路，階躍信號VG1設置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會以周期T=20ms進行開啟和截止狀態的切換。首先仿真Vgs和Vds的波形，會看到Vgs=2V的時候有一個小平臺，有人會好奇為什么Vgs在上升時會有一個小平臺？ MOS管Vgs小平臺帶著這個疑問，我們嘗試將電阻R1由5K改為1K，再次仿真，發現這個平臺變得很小，幾乎沒有了，這又是為什么呢？ MOS管Vgs小平臺有改善為了
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《華林科納-半導體工藝》碳化硅MOSFET制造后爐前清洗的濕處理

引言碳化硅(SiC)器件制造技術與硅制造有許多相似之處，但識別材料差異是否會影響清洗能力對于這個不斷發展的領域很有意義。材料參數差異包括擴散系數、表面能和化學鍵強度，所有這些都可以在清潔關鍵表面方面發揮作用。這項工作將100毫米或150毫米4H碳化硅晶片經過汞探針電容電壓(MCV)繪圖后的痕量表面污染水平與后續清洗后的水平進行了比較。在MCV期間，痕量金屬如汞、鐵和鎳被可控地添加，并且顯示出多種清潔方法可以將碳化硅表面恢復到低于5x1010原子/cm2的清潔度水平。討論了這些清洗在集成器件工藝
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MOS管和IGBT有什么區別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區別吧！什么是MOS管場效應管主要有兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。
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差模濾波與共模濾波分析

低頻來自兩部分：差模和共模濾波。差模濾波試圖減少電流返回回線的電源線上噪聲。這意味著電源線上噪聲存在在外殼和回線上。所以濾波的目的是在它離開外殼之前分流到回線，這樣保證它返回而測量不到。設置一個電感在功率線上，阻斷它出去，同時提供一個電容在電源與回線之間，提供噪聲低阻抗通道。通常商業測試時帶有 LISN（Line Impedance Stabilization Network電網阻抗穩定網絡），被測電源通過一個電感和一個電容接到LISN,提供50Ω源阻抗。有時噪聲可能很小，以至于不要電感，
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性能遠超AMD及蘋果？英特爾12代酷睿i9-12900K評測：牙膏擠爆，真的很強！

今年10月28日，在英特爾ON技術創新峰會上，英特爾揭開了第12代英特爾酷睿處理器產品家族的神秘面紗，推出了六款全新未鎖頻臺式機處理器，其中包括全球性能出眾的游戲處理器——第12代英特爾酷睿i9-12900K。憑借最高5.2GHz的睿頻頻率及多達16核與24線程的規格，全新處理器可為游戲發燒友和專業創作者釋放更高的多線程性能。 12代酷睿*采用了兩種CPU核心，一個是性能核(P核)，一個是能效核(E核)。P核的設計更傳統，是酷睿家族的延續，針對單線程、輕線程性能而優化，適合較高負載的游戲、
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老司機總結：模擬電路設計的11個細節

模擬電路設計需要扎實的模電基礎以及豐富的經驗積累，這里，我們分享一位模電老工程師的總結，幫助大家在設計中少踩坑，少走彎路，覺得好的點個贊啊！ 1. 系統定義 ??系統定義是模擬電路設計的基本前提。根據設計要求，模擬電路設計工程師需要對電路系統及子系統做出相應的功能定義，并確定面積、功耗等相關性能的參數范圍。 2. 電路設計電路結構的選擇是電路設計的重要環節。模擬電路設計工程師需要根據模擬電路需要實現的功能要求、設計規范及相應的參數指標選擇合適的電路結構，并在此基礎上確定元器
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拆解報告：TEKA鐵甲65W氮化鎵無線智能充電器

近兩年來，氮化鎵在消費類電源領域的發展迅速，無論是高性價比的高頻QR反激拓撲還是主打高性能的有源鉗位反激，亦或是百瓦大功率專用的LLC，市面上的氮化鎵快充新品一直都層出不窮。當然，技術的成熟也會讓產品的性能和賣點都面臨著同質化的問題，為了尋求產品的更多差異化，電源廠商也是絞盡腦汁。比如，近日充電頭網就拿到了一款由鐵甲推出65W氮化鎵快充新品，除了目前主流氮化鎵充電器小巧便攜、大功率輸出、多設備支持等優點外，它還加入了無線智能互聯功能，用戶可以通過APP連接充電器，查看并設置充電器的參數，讓
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開關電源各種拓撲結構的特點

1、基本名詞常見的基本拓撲結構 ■Buck降壓 ■Boost升壓 ■Buck-Boost降壓-升壓 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward雙晶體管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half Bridge半橋 ■Full Bridge全橋 ■SEPIC ■C’uk 基本的脈沖寬度調制波形這些拓撲結構都與開關式電路有關。基本的脈沖寬度調制波形定義如下： 2、Buck降壓特點 ■把輸入降至一個較低的電壓。 ■可能是最簡單
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