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開關電源二十種拓撲結構介紹

什么是拓撲？所謂電路拓撲，就是電路中功率器件和電磁元件的連接方法，而磁性元件的設計、閉環補償電路的設計以及其他所有電路元件的設計都依賴于拓撲。最基本的拓撲有降壓（buck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對稱反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開關電源拓撲有大約14種常見的拓撲，每一種都有自己的特點和適用場合。選擇的原則是看是大功率還是小功率，是高壓還是低壓輸出，元器件是否盡量少。因此，要適當地選擇拓撲，熟悉不同拓撲的優缺點和應用領域是非常重
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關于芯片的內部設計原理和結構分析詳解

摘要作為電源研發工程師，當然經常接觸各種芯片。有些工程師可能對芯片的內部不太熟悉。許多學生在應用新芯片時直接進入數據集的應用頁面，并根據推薦的設計構建外設。就是這樣。這樣，即使應用沒問題，也忽略了技術細節，也沒有為自己的技術成長積累更好的體驗。今天以DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，詳細說明以下芯片的內部設計原理和結構。 LM2675-5.0的典型應用電路打開LM2675的DataSheet，首先看看框圖這個圖包含了電源芯片的內部全部單元模塊，BUCK
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DC-DC的PCB設計需要注意哪些點？

DC-DC的電路比LDO會復雜很多，噪聲也更大，布局和layout要求更高，layout的好壞直接影響DC-DC的性能，所以了解DC-DC的layout至關重要。 1. Bad layout EMI，DC-DC的SW管腳上面會有較高的dv/dt，比較高的dv/dt會引起比較大的EMI干擾；地線噪聲，地走線不好，會在地線上面會產生比較大的開關噪聲，而這些噪聲會影響到其它部分的電路；布線上產生電壓降，走線太長，會使走
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7種MOSFET柵極電路的常見作用，不看不知道！

概述 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具等各行各業。柵極做為MOSFET本身較薄弱的環節，如果電路設計不當，容易造成器件甚至系統的失效，因此發這篇文章將柵極常見的電路整理出來供大家參考討論，也歡迎大家提出自己的觀點。 MOSFET柵極電路常見的作用有以下幾點： 1、去除電路耦合進去的噪音，提高系統的可靠性。
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支持制造業實現智能化轉型 | 基于GD32F303的通用變頻器方案設計

前言我國在2020年9月明確了2030年碳達峰和 2060年碳中和的目標，未來四十年內實現凈零排放對中國而言將是一項具有挑戰性的任務。對于電機行業來說，電機在工業領域占有重要位置，據統計，我國電機每年耗電量占全社會總用電量的69%，約占工業用電的75%。因此減少電機生命周期內的碳排放，加速推進減碳進程，是電機行業面臨的重要任務。變頻調速技術可以精確控制交流電機的轉速，使電機在節能狀態下運行，是對傳統電機系統調速改造、提升電機系統運行效率的關鍵措施。傳統變頻器具有體積大、性能低、價格高的特點，除此
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助力共享換電，基于GD32E230的智能鋰電池BMS解決方案

據數據統計，中國市場擁有3億輛兩輪三輪電動車，2019年我國電動兩輪車產量為3609萬輛，銷量為3464萬輛，其中700萬外賣人員和310萬快遞人員是電動車的重度使用者。隨著2019年4月15日新國標正式實施，我國鋰電兩輪車銷量達到680萬輛，鋰電池在我國兩輪電動車滲透率達到18.8%，預計2023年鋰電兩輪車滲透率將達到53%。在兩輪車行業中，鋰電池替換鉛酸電池的已經成為必然趨勢，特別是市場上大量出現共享電動車和鋰電池換電服務，進一步推動了對智能鋰電池的大量需求。電池管理系統 Ba
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SiC MOSFET有趣的IP故事集 — 英飛凌半包，羅姆雙溝槽，住友接地雙掩埋，及躺贏的GE

一個碳化硅芯片業余愛好者的學習筆記。文獻整理，業界新聞，偶有所得，天馬行空。本公眾號屬于個人學習筆記，僅為個人業余興趣愛好，不涉及任何商業目的。文中如果有引用不規范的地方敬請見諒。有人的愛好是養花養草唱歌釣魚，也有人喜歡寫Twiter博客抖音，我最近幾年，喜歡周末偶爾讀點書刷刷paper，看看前沿方向材料和器件技術發展。題記：做點有趣的事，做個有趣的靈魂。瞎聊了幾句羅姆雙溝槽IP的訴訟案花邊新聞??，發現感興趣的朋友還真不少
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TI 第二代雷達芯片深度剖析

車載雷達是*輔助駕駛(ADAS), 無人駕駛核心傳感器之一，而車載雷達芯片是車載雷達的核心，如今高度集成（MMIC + DSP/MCU)的車規級芯片為雷達小型化，高可靠性與穩定性，低成本提供關鍵途徑，其重要性不言而喻。近期，TI公司正式上線下一代車規級高性能車載雷達芯片，AWR2944，同時發布與之配套的SDK，mmwave_mcuplus_sdk_04_02_00_01，參考設計工具箱toolbox, mmwave_automotive_toolbox_3_5_0，以及demo參考板
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CIS封裝技術

CIS封裝最初采用的是帶有玻璃蓋板的陶瓷封裝，例如Amkor的VisionPak就是一種陶瓷無鉛芯片載體。這種方案比較昂貴而且會占用很大的相機內空間。20世紀末晶圓級封裝(Wafer Level Package, WLP)技術逐步發展起來，其優勢在于尺寸小、重量輕和成本低，并逐漸引起大家的關注。2007年3月，日本Toshiba公司*展出采用硅通孔技術的WLP的小型圖形傳感器模組，該技術不僅提供用于模塊集成的完全密閉的器件，使由污染顆粒所導致的CIS成品率損失大大降低，還具有最小尺寸和質量、有效降低寄生
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功率電子封裝關鍵材料和結構設計的研究進展

摘要：傳統功率電子封裝主要以釬料連接和引線鍵合等二維平面封裝技術為主，無法滿足第三代半導體器件在高頻、高壓、高溫下的可靠應用。為了解決這一問題，二維平面封裝逐漸向三維集成封裝發展。對功率電子封裝技術中的關鍵材料和結構設計的研究進展進行了總結和展望。連接材料從錫基釬料逐漸發展為金基釬料、瞬態液相連接材料、燒結銀等高導熱、耐高溫材料，連接技術從引線鍵合逐漸發展為雙面冷卻、器件集成和垂直疊層互連等。通過去除引線提高開關性能，集成多種芯片和器件提高功率密度，雙面冷卻提高散熱效率。三維集成封裝具有巨大的市場潛力，將
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