欧美日韩国产免费一区二区三区,奇米影视第4色,日韩av无码社区一区二区三区

阿里國際發布最新開源多模態大模型Ovis （薩科微9月20日每日芯聞）

社科院金融所調研人員和薩科微總經理宋仕強（中）國際： 1、Imagination發布新款GPU IP，在汽車功能安全方面更進一步。 2、國五角大樓將向全美33個芯片研究項目撥款2.69億美元，這是旨在支持軍方半導體研究的第二次撥款。 3、三星計劃今年年底重組半導體代工部門。 4、英偉達再擴AI版圖，傳斥資1.65億美元收購新創OctoAI。 5、據《繪制印度金融科技創新格局》顯示，印度90%金融機構專注于人工智能和GenAI創新。 6、日本半導體設備制造商Tok
了解更多
金航標客戶經理曾慶容：開心會“芯”真英雄

金航標客戶經理曾慶容 “以結果論英雄”，是金航標（www.kinghelm.net）和薩科微總經理宋仕強、金航標副總程玉潔經常強調的，更被金航標客戶經理曾慶容奉為圭臬，曾慶容以此激勵自己不斷創造新紀錄，如：金航標2023年十一國慶征文活動期間，因他的原創文章《保持初心、砥礪前行》被評為最優，他獲得公司獎勵￥1000元；2024年3月金航標新激勵政策出臺，他率先達標，不僅業績進步最快、而且成為當月銷冠，因而獲得公司獎勵￥ 800元。本期我們專訪曾慶容，看這位80后有為青年如何突破自我、轉型
了解更多
金航標/薩科微每周之星陳令

2024年09月18日到2024年09月21日，金航標（www.kinghelm.net）/薩科微（www.slkoric.com）“每周之星”經過領導和同事們評比，*的是金航標財務部會計陳令，在最近一周工作中，勇于承擔責任，踏實肯干，以完成公司業績為目標導向的工作精神，獲得公司領導和同事的一致好評，現予以公告嘉獎一次，獎勵人民幣200元。陳令獲金航標/薩科微每周之星 2024年8月，陳令入職到金航標擔任會計一職，作為新員工，對公司的流程、系統和人員都還不熟悉的情況
了解更多
電子元器件的下一站是出海？

謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來東莞松山湖交流，同時也參加了阿里的電子元件出海培訓，分享一下紀要： 1、中低端電子產業向東南亞等轉移的趨勢歐美→日本、韓國和中國臺灣→中國大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動力成本、巨大的需求等優勢，中低端的電子產業逐漸從中國大陸轉移到越南等東南亞*。下面以越南為例。 1）廠房租金較低以下是越南海防市的廠房租金報價，大部分在3-4美元/平方米/月。 2）勞動力充沛且* 越南面積相當于云南省那么大，人口約980
了解更多
深圳有哪些芯片設計公司？

截至2022年底，深圳合計有587家IC企業，其中IC設計企業390家，晶圓制造企業7家，封測企業70家，設備企業79家，材料企業為41家，主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產IC設計企業產值約724億元，僅次于上海1350億元、北京846億元。圖：IC設計行業產值城市排名，來自清華魏少軍老師深圳主要的IC設計公司如下: 1、已上市芯片企業匯頂科技：主要產品為指紋傳感器、光線傳感器、健康傳感器及其他傳感器、觸控產品、音頻產品、安全產品等。預計2023年營業收入4
了解更多
MOS管的核心參數解析（導通電阻與柵極電荷）

功率管的最主要的應用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經器件的電流進行開關控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺），器件導通電阻越低，其導通損耗就越低。其次，器件在開關狀態間切換時，柵極電荷越小，器件的開關速度就越快，其動態損耗就越低。圖：MOS管結構對于功率MOSFET來說，導通電阻與柵極電荷互為權衡（trade-off）關系，因為對于同一個器件結構來說，可以通過并聯更多重復單元來降低導通電阻，但會導致柵極電荷相應地增加；反之減少器件并聯的重復單元
了解更多
半導體設備有哪些卡脖子的核心零部件？

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環節。薄膜沉積技術是以各類適當化學反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當的位置發生化學反應或聚結，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質、或半導體材料薄膜。芯片是微型結構體，其內部結構是3D立體式形態，襯底之上的微米或納米級薄膜構成了制作電路的功能材料層。圖：PE CVD原理圖來自拓荊以薄膜設備CVD為例說明，CVD的核心零部件一般包括射頻系統及等離子體源、大氣及真
了解更多
CMP：半導體制造工藝的平滑藝術

1、CMP工藝簡介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學機械拋光，是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過化學反應和機械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。圖：CMP平坦化前后效果圖 CMP結合了化學腐蝕和機磨削的原理，用特殊設計的拋光液和砂輪對晶圓進行處理。這一過程中，化學反應使表面材料軟化，而機械磨削則去除軟化的材料，從而實現平坦
了解更多
MOS管參數解析及國內外大廠技術對比

MOSFET的單位面積導通電阻和優值系數(FOM)參數代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產品參數展示的關鍵指標，也是體現MOSFET芯片制造工藝核心技術能力的關鍵指標。通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優值系數值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關注優值系數，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態下，
了解更多
第三代半導體碳化硅襯底分類、技術指標、生長工藝、產業鏈、下游應用等解析

1、第三代半導體特性 (1)碳化硅根據《中國戰略性新興產業：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發現象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3倍，可以保證碳化硅器件在高溫條件下工作的可靠性。硅器件的極限工作溫度般不能超過 300
了解更多

10 條/頁: 10 條/頁 20 條/頁 50 條/頁 100 條/頁 200 條/頁 500 條/頁 1000 條/頁

客服QQ2635709730

客服QQ
2635709730