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半導體周期調整IGBT逆勢走強頭部公司訂單飽滿紛紛擴產

雖然半導體周期出現階段性調整，但受益于新能源汽車、新能源發電等需求推動，以IGBT（絕緣柵雙扱晶體管）為代表的功率器件強勢增長，A股相關IBGT公司訂單量飽滿，產能供不應求。車規級IGBT模塊持續放量作為IGBT龍頭，斯達半導體今年前三季度實現凈利潤達到5.9億元，同比增長1.21倍，增速超過營業收入，銷售毛利率達到41.07%，環比提升。在12月5日斯達半導三季度業績說明會上，公司高管介紹，近幾個季度營收增長主要驅動力來自公司產品在新能源汽車、光伏、儲能、風電等行業持續快速放量，
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怎么看運算放大器的電源電壓、工作電源電壓范圍

*最大額定項目是指即便是瞬間性的也是不可超越的條件。施加了超過*最大額定值的電壓或在*最大額定值規定的溫度環境外使用時，可能會導致IC的特性退化或損壞。
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最好的緬懷是繼續奮斗

“為加速國民經濟信息化進程而努力奮斗”，這是1995年5月13日，*、**江澤民到中國華晶電子集團公司視察時的題詞，并還親自為公司提寫了廠名。回顧無錫集成電路產業發展歷史，江澤民同志曾三次蒞臨無錫，關心、支持集成電路產業的建設和發展。在江蘇省半導體行業協會保存著的眾多資料中，有兩張照片分別記錄了江澤民同志在1982年、1995年來無錫視察時的情形。圖一 1982年10月14日，時任電子工業部副部長、黨組副書記的江澤民，參加雙極集成電路引
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從芯片看內循環，“去中化”，還是“去美化”

作者 | 新望（中制智庫研究院院長）內循環為主體，內外循環互促，這是中國發展新格局。之所以內循環為主體，就是因為外部環境發生了變化。決定外部環境變化的一個關鍵因素是中美關系，中美關系可以說是發生了質變。外部環境變化的一個直接后果就是關鍵核心技術被卡脖子。9月11日，總書記在科學家座談會上列舉了工業、農業、能源
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全球半導體市場研究：裝備篇（2）

存儲器與非存儲器市場對裝備市場的影響上圖為根據SIA和DramExchange公布數據整理的全球存儲器和非存儲器芯片市場季度數據?？梢悦黠@看到，2010/11年半導體市場有一輪全產品線景氣周期，這主要是源自2009年金融危機以后的反彈；2018年這輪器件市場暴漲幾乎完全是由存儲器市場導致的，與非存儲器基本無關；而2021/22年這一輪景氣周期中，三類器件的市場變化都對整體銷售產生影響，而且DRAM和NAND的爆發期主要在2021年，而非存儲器的高點在今年2022年。兩個小周期疊加在一起形成
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全球存儲器銷售額統計報告（2022-Q3）

最近，DramExchange在官網公布了今年第3季度全球存儲器芯片市場銷售數據。根據其統計，DRAM和NAND在本季度的銷售額都出現了暴跌。由下圖可見，今年第三季度： DRAM全球銷售額182億美金，同比下降31.5%，環比下降28.9% NAND全球銷售額137億美金，同比下降27.4%，環比下降24.3% 2018年的暴跌現象再次發生。不過按照這個趨勢，下一季度開始，暴跌很可能迅
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全球半導體市場研究：裝備篇（1）

半導體裝備市場發展的驅動力下圖為全球半導體裝備（數據來源：SEMI）和全球半導體器件的市場銷售額數據（數據來源：WSTS）。由圖可見，半導體裝備市場在最近十余年里增長十分迅速。2021年全年銷售額相對2010年增長了187.0%，而同期半導體器件的銷售額只增長了83.9%。如果我們仔細研究圖中數據，可以發現以下幾個規律： 1. 半導體裝備銷售變化呈現明顯的周期性起伏，而且起伏規律和器件市場變化十分一致，但幅度比例更大。
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南方科技大學與易事特集團深入探討產學研融合創新發展并達成共識

7月28日，繼南方科技大學黨委書記李鳳亮一行蒞臨易事特集團調研后，集團總裁陳碩，副總裁、首席技術官于瑋博士，戰略市場部總監譚繼奎等專程拜訪，與多位院士、專家學者深化交流探討，進一步達成在新能源領域的戰略合作共識。南方科技大學黨委書記、教育基金會理事長李鳳亮，總會計師、教育基金會副理事長葉秦，加拿大工程院院士、機械與能源工程系講席教授王海江，深港微電子學院院長、教授于洪宇，碳中和能源研究院副院長、機械與能源工程系副教授曾林，機械與能源工程系助理教授丘龍斌，聯絡發展部部長、教育基金會秘書長、校
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易事特高端UPS電源成功助力某半導體芯片大企業數字化升級創新

近日，易事特EA890系列80kVA~500kVA大功率UPS電源成功服務某半導體行業大客戶，將依托整套供配電解決方案，持續為其可靠、節能、智能運行保駕護航，助力行業創新升級，為*戰略推進和經濟社會發展積極貢獻力量。易事特UPS電源成功服務某半導體行業大客戶當前，在數字經濟、新冠肺炎疫情和地緣政治等多重因素疊加作用
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運算放大器的電路結構是怎樣的，與比較器相比有何不同？

運算放大器（運放）與比較器電路結構非常相似，經常會有人分不清兩者，下邊給大家詳細說明一下，運算放大器的電路結構是怎樣的，與比較器相比有何不同？
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