中壓MOS管SL80N08D

MOS管SL80N08D是N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，該MOS管的關(guān)鍵參數(shù)為漏源電壓Vdss為80V，連續(xù)漏極電流Id為80A，導(dǎo)通電阻RDS(on)為4.8mΩ，閾值電壓Vgs(th)為2.5V，封裝類型為T(mén)O-252。

MOS管SL80N08D是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其適用于開(kāi)關(guān)電源、功率逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要N溝道MOS管的高功率電子應(yīng)用。

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產(chǎn)品詳情產(chǎn)品文檔技術(shù)支持

產(chǎn)品名稱：MOS管SL80N08D

生產(chǎn)商：薩科微Slkor

產(chǎn)品類型：N溝道

電性能參數(shù)：

漏源電壓（Vdss）： 80V

連續(xù)漏極電流（Id）： 80A

導(dǎo)通電阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 4.8mΩ @ 10V, 20A

閾值電壓（Vgs(th)@Id）： 2.5V @ 250uA

封裝規(guī)格：

封裝類型： TO-252

產(chǎn)品特性與應(yīng)用：

主要特性：

高漏源電壓：漏源電壓（Vdss）為80V，適合高電壓應(yīng)用場(chǎng)景。

高電流能力：連續(xù)漏極電流（Id）為80A，適用于高功率電子設(shè)備。

低導(dǎo)通電阻：在10V電壓和20A電流下，導(dǎo)通電阻為4.8mΩ，有助于降低功耗和提高效率。

適當(dāng)?shù)拈撝惦妷海?閾值電壓（Vgs(th)@Id）為2.5V @ 250uA，確保穩(wěn)定的電路控制。

封裝優(yōu)勢(shì)：

TO-252封裝提供了*的散熱性能，適用于高功率應(yīng)用，并易于安裝在電路板上。

應(yīng)用領(lǐng)域：

MOS管SL80N08D廣泛應(yīng)用于高功率開(kāi)關(guān)電源、功率逆變器、電機(jī)控制和其他需要高功率N溝道MOS管的電子應(yīng)用。

安全與可靠性：

SL80N08D經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測(cè)試，確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請(qǐng)按照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)和應(yīng)用注意事項(xiàng)正確使用。

散熱設(shè)計(jì)建議：

由于高電流和功率特性，建議在設(shè)計(jì)中考慮有效的散熱措施，以確保MOS管工作在合適的溫度范圍內(nèi)。

總結(jié)：

MOS管SL80N08D以其高電流和漏源電壓的特性，為高功率電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要N溝道MOS管的高功率應(yīng)用場(chǎng)景下，SL80N08D是一個(gè)值得考慮的選擇。

文件名稱	標(biāo)題	說(shuō)明
SL80N08D TO-252.pdf	SL80N08D TO-252	-
Proposition-65-Compliance-Report_1.pdf	Proposition-65-Compliance-Report_1	-
Proposition-65-Compliance-Report_2.pdf	Proposition-65-Compliance-Report_2	-
REACH.pdf	REACH	-
RoHS-1.pdf	RoHS-1	-

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