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產品名稱：中壓MOS管BSS138
概述：
中壓MOS管BSS138是一種N溝道MOSFET，具有漏源電壓(Vdss)50V，連續漏極電流(Id)220mA，功率(Pd)225mW等特性。它的導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為3.5Ω@10V,220mA，閾值電壓(Vgs(th)@Id)為1.6V@1mA。該產品采用SOT-23封裝。
特性：
- 漏源電壓(Vdss)為50V，可以在中壓應用中使用；
- 連續漏極電流(Id)為220mA，適用于小功率應用；
- 功率(Pd)為225mW，具有較好的熱性能；
- 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)為3.5Ω@10V,220mA，具有較低的導通電阻；
- 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為1.6V@1mA，可以在低電壓驅動下工作。
應用：
中壓MOS管BSS138適用于中壓應用中的開關電路、功率驅動電路等場合。它還可以應用于低電壓、小功率電路中的電壓轉換、電源管理、音頻放大器等方面。
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| 文件名稱 | 標題 | 說明 |
|---|---|---|
| BSS138.pdf | BSS138 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-60V 連續漏極電流(Id):-30A 功率(Pd):50W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
類型:P溝道 漏源電壓(Vdss):-100V 連續漏極電流(Id):-20A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封裝：TO-220
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):5A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封裝：SOP-8
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):200V 連續漏極電流(Id):18A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):3V@250uA
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):33A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封裝：TO-263
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續漏極電流(Id):2A 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封裝：SOT-23
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):240V 連續漏極電流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：100V 連續漏極電流(Id)：150mA 功率(Pd)：250mW 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,120mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.8V@1mA 輸入電容(Ciss@Vds)：40pF@25V 工作溫度：+150℃@(Tj)
