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中壓MOS管SL12N10

中壓MOS管SL12N10

MOS管SL12N10是N溝道MOS場效應(yīng)管,漏源電壓Vdss為100V,連續(xù)漏極電流Id為12A,導(dǎo)通電阻RDS(on)為130mΩ,閾值電壓Vgs(th)為2V,封裝規(guī)格為封裝類型為TO-252。

MOS管SL12N10是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其優(yōu)越的電性能參數(shù)和TO-252封裝設(shè)計使其適用于多種高電壓高電流的電子應(yīng)用。

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產(chǎn)品名稱:MOS管SL12N10


生產(chǎn)商:薩科微Slkor


產(chǎn)品類型:N溝道


電性能參數(shù):

漏源電壓(Vdss): 100V

連續(xù)漏極電流(Id): 12A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 130mΩ @ 10V, 10A

閾值電壓(Vgs(th)@Id): 2V @ 250uA

封裝規(guī)格:

封裝類型: TO-252

產(chǎn)品特性與應(yīng)用:

MOS管SL12N10是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其優(yōu)越的電性能參數(shù)和TO-252封裝設(shè)計使其適用于多種高電壓高電流的電子應(yīng)用。


主要特性:

高電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為100V,適用于對電壓要求較高的電路設(shè)計。

高電流承受能力: 連續(xù)漏極電流(Id)可達(dá)12A,適用于高功率應(yīng)用場景。

相對低的導(dǎo)通電阻: 在10V電壓和10A電流下,導(dǎo)通電阻為130mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

相對低的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為2V @ 250uA,有助于確保精確的電路控制。

封裝優(yōu)勢:

TO-252封裝提供了*的散熱性能和較小的尺寸,適用于一些對尺寸和散熱有要求的高功率電路設(shè)計。


應(yīng)用領(lǐng)域:

MOS管SL12N10廣泛應(yīng)用于多種高電壓高電流的電子應(yīng)用,包括但不限于:

電源開關(guān): 適用于高功率電源開關(guān)電路。

電機(jī)驅(qū)動: 在高功率電機(jī)控制電路中,可實(shí)現(xiàn)有效的電流控制。

電源逆變器: 用于太陽能逆變器和其他功率逆變應(yīng)用。

安全與可靠性:

MOS管SL12N10經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應(yīng)用注意事項(xiàng)正確使用。


總結(jié):

MOS管SL12N10以其優(yōu)越的電性能和適用于高電壓高電流應(yīng)用的TO-252封裝設(shè)計,為高性能電子系統(tǒng)提供了*的解決方案。在需要高電壓和高電流承受能力的場景下,SL12N10是一個可靠的選擇。



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