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中國臺灣省將落成全球最大半導體制造聚落（薩科微4月7日芯聞）

金航標和薩科微數字化營銷，流量為王！國際： 1、Gartner預測，2025年全球生成式人工智能(GenAI)支出將達到6440億美元，較2024年增長76.4%。 2、全球第五大晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)考慮與聯電合并，成為全球第二大晶圓代工廠。 3、美國總統特朗普宣布，將從4月5日起對所有出口到美國的商品征收至少10%的關稅，中國將面臨34%的關稅。 4、根據富士經濟的新調查，全球半導體材料市場預計將在2027年達到
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英偉達算力GPU主要型號及參數

1. A100：數據中心AI計算的奠基石 A100是英偉達2020年發布的旗艦級數據中心GPU，基于Ampere架構，主要特性包括：架構：Ampere CUDA核心數：6912
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AI全產業鏈，誰是龍頭？

AI 產業鏈通常可分為上游基礎層、中游技術層和下游應用層。未來，是人工智能的時代，未來已來！你準備好了嗎？免責聲明：本文采摘自“ittbank”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯系我們刪除。
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宋仕強新作被海外媒體熱轉，千萬閱讀量引發廣泛關注！（薩科微4月3日每日芯聞）

美聯社APNews、環球郵報TheGlobeAndMail、Benzinga、BarChart等頁面國際： 1、意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發與制造協議，聯手提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。 2、Lightmatter推出了Passage M1000光子超級芯片，該芯片專為下一代XPU和交換機所設計。 3、imec計劃在德國建立一座小芯片開發中心，用于研發汽車芯片技術。 4、高通收購越南AI研究公司VinAI的生成式AI部門。 5、Chat
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金航標/薩科微每周之星李門

視頻剪輯李門 2025年03月31日到2025年04月03日，金航標（www.kinghelm.net）/薩科微（www.slkoric.com）“每周之星”經過同事們評比，這周“每周之星”是推廣部視頻剪輯李門，在最近一周工作中，關注熱點，做好視頻剪輯工作，不斷提高視頻播放量和粉絲數量，以完成公司業績為目標導向的工作精神，獲得公司領導和同事的一致好評，現予以公告嘉獎一次，獎勵人民幣300元。李門獲金航標/薩科微每周之星李門是廣西人，是一個非常踏實，責任心特別強
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中國首富換人：字節跳動創始人張一鳴榮登榜首（金航標4月2日芯聞）

宋仕強先生雄文被新華瞭望號、新浪財經等數百家媒體熱轉，閱讀量近千萬！國際： 1、日本精密零部件制造企業Orbray開發出了適用于電子產品的全球最大級別金剛石基板，尺寸為2厘米見方，還表示今后將增大至2英寸（約5厘米）直徑，爭取2026年面向功率半導體及量子計算機等用途實現產品化。 2、中芯國際全年銷售收入達到80.3億美元，穩居全球純晶圓代工企業第二。 3、美國將54個中國科技企業和機構納入所謂的“實體清單”，包括北京智源人工智能研究院、寧暢信息產業等。
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如何看待中國半導體產業的未來發展？

在談及中國半導體產業的未來發展時，我們必須深刻理解這是一個典型的高技術壁壘和高資本投入的產業，更是全球科技競爭的戰略制高點。要想在這個極其復雜的產業體系中取得突破，需要我們從以下幾個關鍵維度入手，方能真正穿越周期、實現長期健康成長。一、準確把握時代趨勢，實現熵管理半導體產業是數字化與AI時代的核心支撐。它既是當前全球制造業升級的底層動力，也是各行業推進數字化轉型的關鍵。面對國際局勢不斷演變、技術路徑多元而復雜的現實，我們要做到對正熵（外部變化與內部不確定性）的有效管控，同時通過自主創新和產
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如何看待國產芯片行業的內卷現狀？

國內芯片行業的內卷現象，本質上是資本過度競爭、技術積累不足與戰略模糊的結果。要走出內卷困境，芯片企業需要從戰略聚焦、技術突破、生態建設、運營優化等多方面入手，秉持長期主義，推動產業生態的完善和競爭力的提升。同時，要警惕短期機會主義，避免陷入“資本泡沫”，以穩定且可持續的模式走向行業領導地位。 1、國內芯片行業的內卷，實際上是“熵流”的體現。大量資本涌入，企業在短期內快速擴張，追求規模化與市場份額，然而缺乏核心競爭力與創新，導致“正熵”增加，管理體系過度復雜、效率低下。在缺乏明確戰略方向的情況下，企業
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柵極（Gate）的基本原理、材料選擇和工藝方法

在晶體管*里，如果將晶體管比作一個可控的“水龍頭”，那么柵極（Gate）就如同控制龍頭開關的閥門，其重要性不言而喻。隨著半導體工藝進入納米時代，柵極的材料與制造工藝不斷進步，成為提升器件性能的關鍵之一。柵極的技術背景與工作原理晶體管中的柵極位于源極（Source）與漏極（Drain）之間，通過外加電壓控制半導體溝道內載流子的濃度，從而精確調控源漏間電流的導通與截止。以金屬-氧化物-半導體（MOS）晶體管為例，當在柵極上施加特定電壓時，會在柵氧化層下方形成一個載流子通道，電流便可從源極流向
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光刻工藝中為什么正膠比負膠使用較多？

在現代集成電路制造中，正光刻膠（Positive Photoresist）是*的主流選擇，尤其在先進制程（如 28nm、16nm、7nm 及以下）中，絕大多數關鍵層都使用正光刻膠。 1. 分辨率與線寬控制正膠的成像原理正膠經過曝光后會發生分子鏈斷裂，曝光區域更易溶于顯影液，最后留在晶圓表面的是“未曝光區域”。
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