2022-03-18
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高頻感應(yīng)加熱是利用電磁感應(yīng)原理對(duì)工件進(jìn)行加熱的，其功率密度在被加熱工件內(nèi)的分布可方便地通過(guò)頻率的選擇和感應(yīng)圈的合理設(shè)計(jì)而得到。因受電子開(kāi)關(guān)元件的制約，高頻感應(yīng)加熱電源一直采用電子管振蕩結(jié)構(gòu)，不僅效率低、體積大、成本高,而且存在高壓危險(xiǎn)。 隨著電力電子器件的發(fā)展，MOSFET、IGBT、SiC等新型開(kāi)關(guān)器件相繼出現(xiàn)，為高頻感應(yīng)加熱電源的小型化、高效率提供了元件基礎(chǔ)。SiC MOSFET以其工作頻率高、低導(dǎo)通、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn),是高頻感應(yīng)加熱電源最有前途的半導(dǎo)體器件。
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