2022-03-18
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在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中,已故的萊斯特?F.伊斯曼(Lester F. East-man)和烏梅什?K. 米什拉(Umesh K.Mishra)談到了當時功率半導體界的一項大膽技術:氮化鎵(GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙(使束縛電子自由斷裂并有助于傳導的能量)和其他性質讓我們能夠利用這種材
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