（1）20世紀(jì)50年代（小型晶體管封裝）
自1947年美國(guó)電報(bào)電話公司（AT&T）發(fā)明*只晶體管開(kāi)始，半導(dǎo)體封裝也隨之出現(xiàn)。為了便于在電路上使用和焊接，封裝體要有外接引腳；為了固定微小的半導(dǎo)體晶粒，要有用于支撐的底座；為了保護(hù)晶粒不受大氣環(huán)境等的污染，也為了堅(jiān)固耐用，就必須有把晶粒密封起來(lái)的外殼等。20 世紀(jì)50年代，首先出現(xiàn)了以三根引腳的TO（小型晶體管外殼）封裝。
（2）20世紀(jì)60年代（雙列直插式封裝）
20世紀(jì)60年代中期，中小規(guī)模集成電路技術(shù)迅速發(fā)展，一塊集成電路晶粒往往集成了上千個(gè)晶體管或門(mén)電路，相應(yīng)的其 I/O 數(shù)量也由數(shù)個(gè)發(fā)展到數(shù)十個(gè)，因此要求封裝外接引腳數(shù)量越來(lái)越多。在這種情況下，封測(cè)企業(yè)在 60年代開(kāi)發(fā)出了 DIP（雙列直插式封裝）封裝形式。DIP 封裝形式有兩排引腳，需要插入具有雙列直插式封裝結(jié)構(gòu)的芯片插座上，其配套的PCB板需要進(jìn)行穿孔工藝，DIP的引腳數(shù)一般最大為64枚。
（3）20世紀(jì)70-80年代（扁平封裝）
20世紀(jì)70年代隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，中小規(guī)模集成電路逐步發(fā)展為大規(guī)模集成電路（Large Scale Integation，LSI），一枚晶粒上可集成上萬(wàn)至數(shù)十萬(wàn)個(gè)晶體管，這就對(duì)封裝體的引腳數(shù)量、I/O導(dǎo)出性能、電氣芯能、體積提出了更高的要求。此外，20世紀(jì)70-80年代表面貼裝技術(shù)（SMT）迅猛發(fā)展，同傳統(tǒng)PCB板穿孔組裝相比，扁平元器件貼裝面積大幅減少、自動(dòng)化程度大幅提高，更適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。此外，貼裝元器件同PCB板的連接長(zhǎng)度大幅縮短，降低了寄生電感和寄生電容的影響，提高了集成電路的高頻特性。
在行業(yè)需求推動(dòng)下，20世紀(jì)70年代荷蘭飛利浦公司率先開(kāi)發(fā)出*代適用于SMT工藝（表面貼裝工藝）的扁平封裝形式—SOP（小外形封裝）。SOP封裝實(shí)際為適于SMT工藝的DIP變型，其引腳數(shù)量和I/O導(dǎo)出芯能較DIP封裝提升不大。
為了進(jìn)一步在不大幅擴(kuò)大封裝體所占面積的基礎(chǔ)上增加芯片的I/O數(shù)量，封裝企業(yè)在SOP封裝的基礎(chǔ)上，開(kāi)發(fā)出了QFP（四邊扁平封裝）。QFP封裝引腳之間的間距很小，且腳管很細(xì)，引腳數(shù)目一般為44-208，甚至可以達(dá)到304之多，應(yīng)用范圍較為廣泛。
隨著集成電路終端應(yīng)用設(shè)備向小型化發(fā)展，下游客戶對(duì)封裝后芯片的體積提出了更高的要求。由此，封裝企業(yè)在 QFP 的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)了 QFN 封裝形式（方形扁平無(wú)引腳封裝）。
QFN 封在封裝體底部四邊布有電極觸點(diǎn)，取消了向外延展的引腳，因此貼裝占有面積比 QFP 小，封裝體高度比 QFP 低。但受限于電極與電路板接觸面的應(yīng)力影響，QFN 的電性焊盤(pán)數(shù)量無(wú)法達(dá)到 QFP 的引腳數(shù)水平。QFN 連接通路比 QFP 更短，擁有更好的電氣性能，且具備尺寸、散熱和成本優(yōu)勢(shì)，因此終端應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛，包括：藍(lán)牙芯片、WiFi 芯片、音頻芯片、電源管理芯片、功率放大芯片、基站時(shí)鐘芯片、視頻監(jiān)控芯片等眾多領(lǐng)域。
目前 QFN 的發(fā)展趨勢(shì)為大尺寸、高集成，通過(guò)多芯片堆疊、高密度焊線、多層焊線、超密電性焊盤(pán)間距等技術(shù)，最大程度增加 QFN 封裝的功能集成度I/O 數(shù)量，并在中性能芯片領(lǐng)域取代 QFP 和 BGA 封裝形式。在性能相仿的情況下，QFN封裝形式的價(jià)格較 BGA 至少低 30%、較 QFP 低 15%，因此芯片設(shè)計(jì)企業(yè)對(duì)高性能 QFN 封裝需求量較大。
態(tài)邏輯技術(shù)混合組件中*使用了該項(xiàng)技術(shù)。但倒裝技術(shù)從 20 世紀(jì) 60 年代至 90 年代一直都未取得重大突破，直到 20 世紀(jì) 90 年代后隨著材料、設(shè)備及加工工藝的發(fā)展，同時(shí)隨著電子產(chǎn)品小型化、高速化、多功能趨勢(shì)的日益加強(qiáng)，倒裝技術(shù)再次得到集成電路封測(cè)行業(yè)的廣泛關(guān)注。
常規(guī)芯片封裝流程包括裝片、引線鍵合（焊線）兩個(gè)關(guān)鍵工序，而倒裝（FC，F(xiàn)lip Chip） 是通過(guò)晶圓凸點(diǎn)工藝（Bumping）在待封裝晶粒的電氣層表面形成一層呈陣列排布的金屬凸點(diǎn)（Bump），然后將金屬凸點(diǎn)直接與基板連接。
與常規(guī)焊線芯片相比，倒裝封裝工藝采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，互聯(lián)長(zhǎng)度更短，互聯(lián)電阻、電感更小，封裝后芯片的電性能明顯提高。此外，由于倒裝工藝是將晶粒中的布線引出，再通過(guò)晶圓凸點(diǎn)工藝進(jìn)行重新陣列排布，其 I/O 數(shù)量較焊線工藝大幅提升。
目前，倒裝技術(shù)作為先進(jìn)封裝領(lǐng)域代表性技術(shù)之一，廣泛應(yīng)用于從 QFN 到BGA 多種封裝形式之中。
②系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)
隨著便攜式電子設(shè)備復(fù)雜性的增加，對(duì)集成電路芯片多功能、低功耗和輕薄性的要求越來(lái)越高，而使用先進(jìn)晶圓制（10nm 及以下）將全部功能集成在一枚晶粒上的單芯片系統(tǒng)（SoC）面臨開(kāi)發(fā)周期長(zhǎng)、開(kāi)發(fā)成本昂貴等問(wèn)題。在這種情況下，系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。
系統(tǒng)級(jí)封裝并非專指一種技術(shù)，而是在工程設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，通過(guò)高精度裝片技術(shù)、高密度焊線技術(shù)、高精度 SMT 貼合技術(shù)、混合封裝技術(shù)、多種電磁屏蔽技術(shù)、多種底部填充技術(shù)等一系列先進(jìn)技術(shù)，將多枚晶粒通過(guò)平鋪或堆疊的方式同電容、電阻、電感、天線等大量 SMT 元器件共同集成在一枚封裝體內(nèi)的解決方案。通過(guò)系統(tǒng)級(jí)封裝，封測(cè)企業(yè)不僅將具備不同功能、使用不同材質(zhì)的多枚集成電路晶粒集合在一起，同時(shí)還將原先獨(dú)立散落分布在 PCB 板上的大量SMT 元器件整合進(jìn)封裝體內(nèi)部。封裝體逐漸從芯片載體，發(fā)展為一塊系統(tǒng)模組，大幅提高了 PCB 板的空間利用率和組裝效率。
目前，系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品已成為中高端先進(jìn)封裝領(lǐng)域最常見(jiàn)的解決方案。
③晶圓級(jí)封裝技術(shù)
晶圓級(jí)封裝技術(shù)出現(xiàn)在 2000 年左右，是指在晶圓裸晶上進(jìn)行部分或全部封裝加工。晶圓級(jí)封裝是晶圓凸點(diǎn)技術(shù)（Bumping）結(jié)合晶圓重布線（RDL，Redistribution layer）技術(shù)產(chǎn)生的一種封裝工藝，根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)的不同，可分為扇入式封裝（Fan-in）、扇出式封裝（Fan-out）等。
由于晶圓級(jí)封裝是在晶粒上進(jìn)行封裝加工，因此其封裝體體積最小，在小型移動(dòng)應(yīng)用中具有較大優(yōu)勢(shì)。此外，由于晶圓級(jí)封裝內(nèi)部均使用晶圓凸點(diǎn)實(shí)現(xiàn)互聯(lián)，并通過(guò)晶圓重布線工藝進(jìn)行了陣列排布，因此晶圓級(jí)封裝具有優(yōu)異的電氣性能和 I/O 數(shù)量。
近年來(lái)，晶圓級(jí)封裝開(kāi)發(fā)出通過(guò)硅通孔（TSV）互聯(lián)的多晶粒互聯(lián)、堆疊工藝，成為系統(tǒng)級(jí)封裝解決方案中重要技術(shù)工藝和發(fā)展方向。
