2022-07-05
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技術(shù)日新月異, 第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)及制造工藝發(fā)展還沒有多少年,源起于日本的氧化鎵被譽為第四代半導(dǎo)體技術(shù)已開始國內(nèi)市場發(fā)育. 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源于日本信息通信研究機構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。 氧化鎵的別名是三氧化二鎵,氧化鎵(Ga2O3)是一種寬禁帶半導(dǎo)體,也是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ,被用作于鎵基半導(dǎo)體材料的絕緣層,以
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