高壓MOS管SL4N65F

高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流，適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。

類型：N溝道
漏源電壓(Vdss)：650V
連續(xù)漏極電流(Id)：4A
功率(Pd)：23.3W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A

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產(chǎn)品名稱：高壓MOS管SL4N65F

產(chǎn)品概述：

高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流，適用于高電壓、大電流場(chǎng)合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。

性能參數(shù)：

- 最大漏極-源極電壓：650V

- 最大漏極電流：4A

- 最大導(dǎo)通電阻：2.6Ω@10V,2A

- 閾值電壓：4.5V@250A

- 輸入電容：850pF@25V

- 反向傳輸電容：1.2nF@25V

- 柵極電荷：11nC@10V

- 工作溫度范圍：-55℃ ~ +150℃@(Tj)

應(yīng)用領(lǐng)域：

高壓MOS管SL4N65F廣泛應(yīng)用于需要承受高電壓、大電流的場(chǎng)合，如電源、照明、電動(dòng)工具等領(lǐng)域。

安裝說(shuō)明：

1. 請(qǐng)?jiān)跓o(wú)靜電保護(hù)措施的情況下操作。

2. 安裝前請(qǐng)清潔散熱器和芯片表面，確保無(wú)塵、無(wú)油。

3. 芯片正面朝向散熱片，用合適的螺絲固定。

4. 注意安裝時(shí)不要損壞芯片，防止靜電干擾。

注意事項(xiàng)：

1. 請(qǐng)勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。

2. 使用時(shí)請(qǐng)按照使用說(shuō)明書(shū)正確操作，以免對(duì)器件造成損壞。

3. 禁止對(duì)器件進(jìn)行改裝和拆卸。

4. 當(dāng)存儲(chǔ)器件時(shí)，請(qǐng)避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。

文件名稱	標(biāo)題	說(shuō)明
SL4N65F.pdf	SL4N65F	-

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