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類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):650V
連續(xù)漏極電流(Id):20A
功率(Pd):74W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA
封裝:TO-220F
產(chǎn)品名稱:MOS管SL20N65F
生產(chǎn)商:薩科微Slkor
產(chǎn)品類型:N溝道
電性能參數(shù):
漏源電壓(Vdss): 650V
連續(xù)漏極電流(Id): 20A
功率(Pd): 74W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs, Id): 0.38Ω @ 10V, 10A
閾值電壓(Vgs(th)@Id): 3.5V @ 250μA
封裝規(guī)格:
封裝類型: TO-220F
產(chǎn)品特性與應(yīng)用:
MOS管SL20N65F是一款N溝道MOS場效應(yīng)管,由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其適用于開關(guān)電源、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要高電壓和大電流的應(yīng)用。
主要特性:
高漏源電壓承受能力: 漏源電壓(Vdss)為650V,適用于高電壓電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)。
大電流承受能力: 連續(xù)漏極電流(Id)為20A,適用于大電流應(yīng)用場景。
適中功率: 功率(Pd)為74W,適用于中等功率的電子應(yīng)用。
低導(dǎo)通電阻: 在10V電壓和10A電流下,導(dǎo)通電阻為0.38Ω,有助于降低功耗和提高效率。
合適的閾值電壓: 閾值電壓(Vgs(th)@Id)為3.5V @ 250μA,確保穩(wěn)定的電路控制。
封裝優(yōu)勢:
TO-220F封裝具有*的散熱性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適用于一般功率電子設(shè)備的設(shè)計(jì)。
應(yīng)用領(lǐng)域:
MOS管SL20N65F廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電源逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他需要高電壓和大電流的電子應(yīng)用。
安全與可靠性:
SL20N65F經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試,確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應(yīng)用注意事項(xiàng)正確使用。
散熱設(shè)計(jì)建議:
由于高電壓和大電流特性,建議在設(shè)計(jì)中考慮有效的散熱措施,以確保MOS管工作在合適的溫度范圍內(nèi)。
總結(jié):
MOS管SL20N65F以其高電壓、大電流和適中功率的特性,為高性能電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要高電壓和大電流的應(yīng)用場景下,SL20N65F是一個(gè)值得考慮的選擇。
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 說明 |
|---|---|---|
| SL20N65F.pdf | SL20N65F | - |
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