久久精品一区二区视频-色吧av-激情五月婷婷丁香-天天操夜夜草-可以在线看的av网站-五月婷婷亚洲-日本激情网址-手机看片日韩久久-久草一级片-天海冀一二三区-国产一区在线免费-日韩人妻无码一区二区三区综合部-强奷漂亮饱满雪白少妇av-国产精品77777-高清视频一区二区三区-毛片的网址-4438xx亚洲最大五色丁香一-2014av天堂无码一区-国产精品久久久久久久久鸭-婷婷激情综合

碳化硅場效應管

碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET結構實現(xiàn)高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，實現(xiàn)散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實現(xiàn)系統(tǒng)小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應用于高端工業(yè)電源，高端逆變器及轉換器，高端電機拖動及控制等。